Der deutsche Technologiekonzern Infineon hat einen bedeutenden technologischen Durchbruch an seinem Standort in Villach, Kärnten, erzielt. Dem Unternehmen ist es gelungen, einen 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen zu prozessieren. Laut einer Aussendung vom Montag ist Infineon damit das erste Unternehmen der gesamten Chipbranche, das diesen Schritt unter realen Bedingungen in einer Halbleiterfertigung demonstriert hat.
Die technologische Bedeutung dieses Fortschritts liegt vor allem in der gesteigerten Effizienz der Produktion. Durch den größeren Durchmesser von 300 Millimetern im Vergleich zu herkömmlichen 200-Millimeter-Wafern können 2,3-mal mehr Chips pro Wafer gefertigt werden. Für die Umsetzung wurden bestehende Fertigungsanlagen für Silizium (Si) genutzt, was die Grundlage für die langfristige Versorgung von Kunden in den Bereichen Automobil, Industrie und KI-Rechenzentren bildet.
Siliziumkarbid ist ein zentrales Material für die hocheffiziente Energiewandlung, da es geringere Leistungsverluste und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Zudem erlaubt das Material einen effizienten Betrieb bei hohen Temperaturen sowie Spannungen. Vorstandsvorsitzender Jochen Hanebeck betonte, dass es bedeute, Technologie kontinuierlich auf die nächste Stufe zu heben, um im Bereich der Leistungshalbleiter führend zu bleiben.
Um diese Innovationskraft weiter auszubauen, plant Infineon massive Investitionen in Kärnten. Bis zum Jahr 2034 sollen insgesamt 1,1 Milliarden Euro in den Standort fließen. Unterstützt wird der Bau einer neuen, auf 300-Millimeter-Wafer ausgerichteten Chipfertigung durch die Republik Österreich mit 319 Millionen Euro, wobei diese Förderung bereits im Rahmen des EU-Chips-Acts genehmigt wurde.
